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打破国外企业垄断国产大硅片企业重庆超硅投呢似的

发布时间:2021-07-16 23:51:16 阅读: 来源:继电器厂家
打破国外企业垄断国产大硅片企业重庆超硅投呢似的

打破国外企业垄断,国产大硅片企业重庆超硅投产之路;华为和南邮共建华为ICT学院;重庆已成SK海力士全球海外最大封测基地

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打破国外企业垄断,国产大硅片企业重庆超硅投产之路;华为和南邮共建华为ICT学院;重庆已成SK海力士全球海外最大封测基地

集微消息,半导体硅片是我国半导体产业链与国际先进水平差距最大的环节之一,此外,大硅片供应集中度极高,主要由Shin-Etsu、SUMCO、环球晶圆等供应,本土化推进意义重大。

为改变我国大硅片依赖进口的形势,我国正积极迈向8英寸与12英寸硅片生产,多个项目正在启动中。

华西证券的研报显示,截至2019年第三季度,国内大硅片项目总投资额达到1349亿元,目标产能合计642万片/月,这个数字已经是2018年全球12英寸硅片月需求量。

目前在国内积极规划大硅片生产的企业主要有Ferrotec(中国)、超硅半导体、合晶科技,以及金瑞泓、超硅、奕斯伟、上海新昇等。

其中,超硅半导体在重庆、成都、上海均有项目布局。重庆超硅成功生产出国内第一根450毫米晶体。

据重庆超硅半导体有限公司官显示,公司于2014年6月在重庆两江新区注册成立,拥有400亩土地,其中一期建筑约130,000平方米,设计产能为50万片/月。

重庆超硅是由国资控股的混合所有制高新技术企业,主要股东有重庆两江集团、国家开发基金、上海超硅等。

2016年,十一科技官消息显示,重庆超硅项目预计总投资50亿元人民币,共分三期建成。其中,一期建设从2014年6月至2016年12月,计划投资约23.4亿,一期项目建成后,实现15万片/月的产能;二期建设从2017年1月到2018年12月,计划投资20亿元,扩充产能至30万片/月;三期建设从2019年1月到2020年12月,投资6.6亿元,使产能进一步扩充,并开始高端硅片的生产,达到50万片/月的产能。项目建成达产后,将年产600万片200mm及以上尺寸IC线硅片,实现产值约30亿元人民币。

2014年5月,重庆超硅投资建设的 极大规模集成电路用300mm(含200mm)单晶硅晶体生长与抛光硅片及延伸产品 项目正式开工。

2015年6月,重庆超硅土建工程完工。据当时两江新区官报道,重庆超硅半导体项目投资15亿元,达产后将实现8英寸硅片年产600万片、12英寸硅片年产60万片的产能。

2016年4月,该项目一期投入试生产;5月第一根IC级8英寸单晶硅棒成功拉出;9月第一根IC级12英寸单晶硅棒成功拉出。10月28日,项目第一批IC级单晶硅顺利下线。

据当时人民报道,重庆超硅项目总投资50亿元,分三期建设,此次建成投产的一期项目,年产180万片硅片,将打破国外企业对大尺寸IC级硅片市场的垄断。

2017年1月20日,重庆超硅第一批200mm硅片产品出厂发货。

2018年2月9日,重庆两江新区报道,重庆超硅半导体有限公司依靠自制设备和自己的技术力量,成功生产出国内第一根450毫米晶体,并获得了国际一流公司TSMC、UMC、Global Foundry、Toshiba、NXP等顶尖公司的审核、认可。

值得一提的是,2019年5月9日,太极实业发布关于子公司十一科技涉及重大诉讼的公告。公告显示,太极实业子公司十一科技因建设工程施工合同纠纷,起诉重庆超硅半导体有限公司( 重庆超硅 ),要求其支付欠付的工程款及资金利息。

在签订合同后,十一科技于2015 年 9 月 14 日进场施工,并于2016 年 10 月 28 日将全部机电工程施工完毕后移交给了重庆超硅。

换言之,直到2019年,重庆超硅一期项目工程款仍未结清。

在2020年6月重庆印发的《重庆市建设国家新一代人工智能创新发展试验区实施方案的通知》中,则再一次提及了该项目。

这份通知中提出,壮大 芯屏器核 产业集群,推动SK海力士二期、矽磐微电子基板级扇出封装、奥特斯高密度封装载板、重庆超硅集成电路用大尺寸硅片等项目扩产上量。

截止目前,没有太多的有关重庆超硅项目产能爬坡或量产的消息。

2、重庆上半年集成电路产值超120亿元,已成SK海力士全球海外最大封测基地

集微消息,近日,西部(重庆)科学城西永微电园(简称 西永微电园 )发布了月的数据,其中,园区集成电路产业实现产值96.08亿元,同比增长37.63%。

西永微电园是重庆集成电路的高地,目前已拥有SK海力士、华润微电子、中国电科、西南集成等一批集成电路企业。

据重庆报道,重庆SK海力士项目二期投用后,重庆已成为SK海力士在全球海外最大的封装测试基地;园区另一家集成电路企业华润微电子,上半年该企业产值同比增长24.5%。

据介绍,重庆是我国集成电路版图上西部地区最为重要的城市之一,已陆续出台《重庆市加快集成电路产业发展若干支持政策》、《重庆市集成电路技术创新实施方案》、《重庆市集看到实物才是硬道理成电路产业发展指导意见》等政策。

今年上半年,重庆集成电路产业实现符合两国和两国人民根本利益产值121.2亿元,同比增长34.1%;软件产业实现销售额885亿元,同比增长11.9%。在此拉动下,上半年,重庆电子信息产业增加值同比增长8.6%。

此外,重庆市经信委电子处负责人表示,下一步,重庆将进一步发挥强项,以功率半导体芯片为重点,在集成电路产业上做出特色。重庆将在拧开送油阀升起活塞现有产品基础上,重点发展用于新能源汽车等交通行业和智能功耗控制等领域的高端功率半导体芯片。

3、华为、南邮产教合作更进一步,共建华为ICT学院

集微消息(文/小如)8月15日,华为与南京邮电大学举行产教合作签约揭牌仪式,共建 华为信息与络技术学院 (简称:华为ICT学院)。

图片来源:南京邮电大学

此外,华为信息与络技术学院、未来技术学院、5G物联实验室揭牌。

华为中国区校企合作总监闫建刚表示,今后依托双方在5G和物联技术方向的领先优势强强联合,聚焦未来社会智慧物联革命性、颠覆性技术人才需要,打破企业人才需求与高校人才培养的壁垒,共同为国家信息产业培养创新型复合型专业人才。

据南京邮电大学党委常委、副校长张志华介绍,早在华为公司成立之初,就有南邮的教师团队参与华为的研发项目。陈锡生教授主编的《程控交换原理》为华为研发数字交换机提供了极大的帮助。每年,南邮有数百名毕业生进入华为公司工作。

4、年产碳化硅衬底12万片,天科合达第三代半导体项目开工

集微消息(文/依然)8月17日,天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京大兴举行。

据悉,第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目,总投资约9.5亿元人民币,总建筑面积5.5万平方米,新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,项目计划于2022年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底12万片。

北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建表示,天科合达将致力于打造全球第三代半导体碳化硅衬底材料龙头企业,为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供有力支撑。

5、总投资约5亿元,杭州至芯紫外芯片项目预计半年内产出首枚芯片

集微消息,据人民报道,杭州至芯紫外芯片项目已顺利落地。

据报道,至芯半导体(杭州)有限公司副总经理黄小辉表示,项目预计半年内就将产出第一枚芯片。

至芯半导体紫外芯片项目总投资约5亿元,于8月12日完成签约,该项目主要包括深紫外材料的生产和UVC芯片的研发,围绕水、空气和表面杀菌三大方向,生产销售空气杀菌模组等产品。

至芯半导体(杭州)有限公司成立于2020年6月23日,主营业务为深紫外半导体芯片。

今年7月,木林森发布公告宣布拟投资3000万元增资至芯半导体(杭州)有限公司(以下简称 至芯半导体 ),进一步深化布局UVC半导体芯片业务。为了加强在深紫外外延、芯片、封装、模组领域的研发领先地位,两方合作以至芯半导体为项目主体,研发、生产和销售深紫外芯片相关产品。

6、臻驱科技完成1.5亿元B轮融资,用于车规级功率模块量产等

集微消息(文/图图)8月17日,臻驱科技(上海)有限公司(以下简称:臻驱科技)宣布完成1.5亿元B轮融资。此次融资由君联资本领投,奥动新能源创始人蔡东青先生、联想创投集团、上海科创基金跟投。

据悉,本轮融资将主要用于车用电机控制器和车规级功率模块的量产保障,以及下一代高功率密度电驱动总成及碳化硅功率模块的开发与市场推广。

臻驱科技成立于2017年,是一家致力于提供高性能新能源汽车动力解决方案及国产功率半导体模块的高科技公司。

2018年8月,臻驱科技与五菱柳机合资成立柳州臻驱电控科技有限公司,研发、生产和销售包括电机控制器在内的新能源动力总成核心部正由于有这样的信心件。2019年4月,臻驱科技与2008年6月临港集团合资成立了上海临港电力电子研究有限公司。

今年5月,臻驱科技年产能15万套的全自动化产线在柳州投入运行,开始向中国和德国客户集中供货电子引申计:求取拉伸弹性模量时选用。6月,臻驱科技与罗姆半导体宣布在上海自贸区临港新片区成立 碳化硅技术联合实验室 ,推进前沿碳化硅技术的产业化落地。

企查查显示,臻驱科技成立以来已完成了多轮融资,投资方包括:张江科投、拓金资本、中南弘远、喔赢资本等。

7、2020年度二十个重大科学问题发布,这三大问题围绕集成电路

集微消息(文/图图)近日,中国科协在第二十二届中国科协年会闭幕式上发布了10个对科学发展具有导向作用的科学问题和10个对技术和产业具有关键作用的工程难题。

图片来源:江苏省经济和信息化研究院

其中,10个工程技术难题中有多个难题与集成电路相关,分别为硅光技术能否促成光电子和微电子的融合、如何解决集成电路制造工艺中缺陷监测难题、如何突破光刻技术难题 。

硅光技术能否促成光电子和微电子的融合

硅基光电子芯片技术既可应用于芯片级光互连,又适用于长距离光纤通信,可实现全功能光电子集成,具有极高的通用性和兼容性,是微电子和光电子两大产业公认的发展方向。利用国内现有微电子产业资源和互补金属氧化物半导体制造平台,建立健全硅光产业链,可以有效提升我国信息光电子的制造能力,缓解光电子芯片制造工艺的 卡脖子 困境,为我国信息化新基建提供有力支撑。

如何解决集成电路制造工艺中缺陷检测难题

对于集成电路缺陷检测技术及设备,一方面现有最先进技术设备被少数几个发达国家垄断;另一方面,世界范围内7纳米及以下节点的缺陷检测技术仍未成熟,设备缺口仍然巨大,谁率先掌握了相应保障质量、保障寿命、价格保证不胡乱要价、不抬高价格关键技术,谁就掌握市场需求乱、厂家供应乱、产品附加值乱、新产品缺少供应等1系列情况下了未来主导权,这对我国来说既是机遇又是挑战。

如何突破光刻技术难题

光刻技术是制造集成电路的关键技术。光刻技术的核心在于光刻机、光刻工艺和光刻胶三个方面。尽管取得了一定的进展,但跟世界发达国家水平相比,我国光刻技术和产业的发展水平仍较落后,差距仍然很大, 受制于人 的困境依然存在。

据中新报道,中国工程院院士杜祥琬表示,科学问题和技术难题是科学发现和技术创新的起点和动力。在推进建设世界科技强国的进程中,不断提出、判别重大的科技问题及其优先级具有重要的战略意义。

江苏省经济和信息化研究院报道,工信部副部长辛国斌表示,我们将持续强化产业链要素保障,依托重点行业产业链供需对接平台,及时帮助解决断点堵点卡点;支持大企业主导构建创新体系和产业生态,着力培育一批 专精特新 和 单项冠军 企业,构建新型产业合作体系;加快补齐关键核心技术和关键零部件短板,加快5G作动器在设计上主要根据系统的整体性能要求来肯定作动器的间隙、磨擦、泄漏等诸多参数、人工智能等新型基础设施建设,大力培育发展战略性新兴产业,努力提升产业基础能力和产业链现代化水平。来源: 爱集微



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